气相沉积炉_气相沉积

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气相沉积炉

系列：FC 特征：标准型、等离子体增强型 < 应用 > 工具与模具：切削刀具、冲压模具表面镀TiN、TiAlN，寿命提升。半导体与电子：芯片制造中的介电层（SiO₂）、导电层（Cu）、阻挡层（TaN）沉积。航空航天：涡轮叶片热障涂层（Y₂O₃-ZrO₂）、发动机部件抗氧化涂层（SiC）。医疗与生物：人工关节的DLC（类金刚石碳）涂层，兼具耐磨和生物相容性。新能源：光伏CVD沉积硅薄膜太阳能电池的非晶硅层，电池ALD包覆锂电正极材料。光学与显示：AR镀膜、OLED显示器的ITO透明导电层。

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■ 概述

气相沉积炉是通过气相化学反应或物理过程，在基体材料表面沉积薄膜或涂层的关键设备。利用气态前驱体在特定条件下（如高温、等离子体或化学反应）分解或结合，对各种材料进行薄膜沉积，包括金属、半导体、绝缘体等。

■ 特点
· 最高温度1200℃。
· 50段程序可编程自动控制。
· 炉壳采用双层风冷结构，表面温度低于50℃。
· 炉体采用真空吸附成型氧化铝多晶纤维无机材料，保温性能佳。
· 304不锈钢双层密封法兰。
· 标配三路质量流量计。
· 薄膜沉积速率高：射频辉光技术，大大的提高了薄膜的沉积速率。
· 采用先进的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，薄膜均匀性指标高。
· 一致性高：采半导体行业的先进设计理念，一次沉积的各基片之间偏差小。
· 工艺稳定性高：高稳定度保证了工艺的连续和稳定。

■ 规格

型号			FCS60 · FCP60	FCS80 · FCP80	FCS100 · FCP100
性能	最高温度		1200℃
	最高工作温度		1100℃
	控温精度		±1℃
	最大升温速率		20℃/min
	极限真空度		10Pa（双级旋片真空泵），7×10-4Pa（双级旋片真空泵+扩散泵）
构成	壳体结构		双层结构，带风冷系统
	滑道		带滑道的滑动炉腔（快速升降温实现）
	炉管材质		高纯石英管
	加热器		合金电热丝
	温度传感器		B型热电偶
	供气系统		四路精密质子流量计，触摸屏调节气体流量
	气体定量系统		压力控制范围（相对压力-20kPa∽20kPa）
射频电源	信号频率		FCP：13.56MHz±0.005% FCS：无
	功率输出范围		FCP：500W FCS：无
	功率稳定度		FCP：±0.1% FCS：无
	谐波分量		FCP：≦50dbc FCS：无
	冷却方式		FCP：强制风冷 FCS：无
规格	内尺寸（直径×加热区长度mm）		40×400	80×400	100×400
	外形尺寸（宽×深×高mm）		2000×1100×550	2000×1100×550	2000×1100×550
	电源		单相AC220V
	额定功率（kW）	FCS	3	4	6
		FCP	4	5	7
选购品			真空泵、混气系统及质量流量计、触摸屏